商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
品牌 | DIODES(美台) | |
封装 | SO-8 | |
包装 | 圆盘 | |
FET类型 | N和P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
25℃时电流-连续漏极(Id) | 6.8A,4.9A | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 24毫欧@7A,10V | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 3V@250μA | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 608pF@15V | |
FET功能 | 逻辑电平栅极,4.5V驱动 | |
工作温度 | -55℃~150℃(TJ) | |
基本产品编号 | ZXMC3 | |
产品应用 | 汽车级 | |
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 12.9nC@10V | |
功率-最大值 | 1.8W | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
ECCN | EAR99 | |
REACH状态 | 非REACH产品 | |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) | |
RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装:8-SO
产品状态:在售
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封装:8-SO
产品状态:在售
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封装:SOIC-8_150mil
产品状态:在售
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封装:DFN3020B-8
产品状态:在售
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封装:8-VDFN 裸露焊盘
产品状态:停产
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