| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
| 品牌 | DIODES(美台) | |
| 封装 | 8-VDFN 裸露焊盘 | |
| 包装 | 包 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 25℃时电流-连续漏极(Id) | 2.9A,2.1A | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值） | 120毫欧@2.5A,10V | |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） | 1V@250UA（最小） | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值） | 190pF@25V | |
| FET功能 | 逻辑电平门 | |
| 工作温度 | - | |
| 基本产品编号 | ZXMC3 | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值） | 3.9nC@10V | |
| 功率-最大值 | 1.7W | |
| 配置 | N和P沟道 | |
| HTSUS | 8541.29.0095 | |
| ECCN | EAR99 | |
| REACH状态 | 非REACH产品 | |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 1（无限） | |
| RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
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封装：8-SO
产品状态：在售
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封装：8-SO
产品状态：在售
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封装：SOIC-8_150mil
产品状态：在售
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封装：SO-8
产品状态：在售
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封装：DFN3020B-8
产品状态：在售
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