h1_key

您当前的位置: 首页 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > SI9945BDY-T1-GE3
为方便购买元器件SI9945BDY-T1-GE3,请您提前  登录

晶体管/场效应管(MOSFET)/SI9945BDY-T1-GE3

库存类型&价格:
领券
500-25
自营库存:356 个(一圆盘有2500个)
货期:1-3天发货
商品重量:0.00024800kg
  • 购买数量:
    - +
    合计:
  • 国内现货库存:11011 个(一圆盘有2500个)
    货期:3-5天发货
    商品重量:0.00024800kg
  • 订货数量:
    - +
    合计:
  • 欧时库存:12610 个(一圆盘有2500个)
    货期:2-15天发货
    商品重量:0.00024800kg
  • 订货数量:
    - +
    合计:
    活动已优惠:
  • 海外现货库存:18314 个(一圆盘有2500个)
    货期:7-15天发货
    商品重量:0.00024800kg
  • 订货数量:
    - +
    合计:
  • E络盟库存:46716 个(一圆盘有2500个)
    货期:2-15天发货
    商品重量:0.00024800kg
  • 订货数量:
    - +
    合计:
    活动已优惠:
  • TME库存:12863 个(一圆盘有2500个)
    货期:2-15天发货
    商品重量:0.00024800kg
  • 订货数量:
    - +
    合计:
    活动已优惠:
  • SI9945BDY-T1-GE3
    在售
    SO-8
    SI9945BDY-T1-GE3DATASHEET
    L19120913954
    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 VISHAY(威世)
    封装 SO-8
    包装 圆盘
    FET类型 2N-通道(双)
    漏源电压(Vdss) 60V
    25℃时电流-连续漏极(Id) 5.3A
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 58毫欧@4.3A,10V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 3V@250μA
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 665pF@15V
    FET功能 逻辑电平门
    工作温度 -55℃~150℃(TJ)
    基本产品编号 SI9945
    产品应用 汽车级
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 20nC@10V
    功率-最大值 3.1W
    HTSUS 8541.29.0095
    ECCN EAR99
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    RoHS状态 符合ROHS3规范
    安装类型 表面贴装型
    根据勾选的参数属性查找商品。
    根据勾选的参数属性,为您找到 0 个类似商品 点击查看
    根据勾选的参数属性,没有为您找到类似商品。
    封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
    产品状态:停产
    隐藏


    1

    您还可以继续添加对比商品

    2

    您还可以继续添加对比商品

    3

    您还可以继续添加对比商品

    10s
    温馨提示:
    订单商品问题请移至我的售后服务提交售后申请,其他需投诉问题可移至我的投诉提交,我们将在第一时间给您答复
    返回顶部