| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
| 品牌 | VISHAY(威世) | |
| 封装 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | |
| 包装 | 卷 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 25℃时电流-连续漏极(Id) | 3.7A | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值） | 80毫欧@3.7A,10V | |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） | 3V@250UA | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值） | - | |
| FET功能 | 逻辑电平门 | |
| 工作温度 | -55℃~175℃（TJ） | |
| 基本产品编号 | SI9945 | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值） | 20nC@10V | |
| 功率-最大值 | 2.4W | |
| 配置 | 2N-通道（双） | |
| HTSUS | 8541.29.0095 | |
| ECCN | EAR99 | |
| REACH状态 | 非REACH产品 | |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 1（无限） | |
| RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
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封装：SO-8
产品状态：在售
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