CSD23203WT |
在售 |
DSBGA-6 |
TI1933526 |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
品牌 | TI(德州仪器) | |
封装 | DSBGA-6 | |
包装 | 整包装 | |
FET类型 | P通道 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 8V | |
25℃时电流-连续漏极(Id) | 3A(Ta) | |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 1.8V,4.5V | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 19.4毫欧@1.5A,4.5V | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 1.1V@250μA | |
Vgs(最大值) | -6V | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 914pF@4V | |
FET功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 750mW(Ta) | |
工作温度 | -55℃~150℃(TJ) | |
基本产品编号 | CSD23203W | |
产品应用 | 汽车级 | |
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 6.3nC@4.5V | |
HTSUS | 8541.21.0095 | |
ECCN | EAR99 | |
REACH状态 | 非REACH产品 | |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) | |
RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | |
安装类型 | 表面贴装型 |
CSD23203W 系列原理图 |
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