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晶体管/场效应管(MOSFET)/CSD23203W

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    在售
    DSBGA-6
    TI1933525
    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 TI(德州仪器)
    封装 DSBGA-6
    包装 整包装
    FET类型 P通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 8V
    25℃时电流-连续漏极(Id) 3A(Ta)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 1.8V,4.5V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 19.4毫欧@1.5A,4.5V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 1.1V@250μA
    Vgs(最大值) -6V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 914pF@4V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 750mW(Ta)
    工作温度 -55℃~150℃(TJ)
    基本产品编号 CSD23203W
    产品应用 汽车级
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 6.3nC@4.5V
    HTSUS 8541.21.0095
    ECCN EAR99
    REACH状态 非REACH产品
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    RoHS状态 符合ROHS3规范
    安装类型 表面贴装型
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    封装:DSBGA-6
    产品状态:在售

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