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晶体管/场效应管(MOSFET)/SIE820DF-T1-GE3

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  • SIE820DF-T1-GE3
    停产
    10-PolarPAK®(S)
    SIE820DF-T1-GE3DATASHEET
    D230629207390
    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 VISHAY(威世)
    封装 10-PolarPAK®(S)
    包装
    FET类型 N通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 20V
    25℃时电流-连续漏极(Id) 50A(Tc)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 2.5V,4.5V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.5毫欧@18A,4.5V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V@250UA
    Vgs(最大值) ±12V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4300pF@10V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 5.2W(Ta),104W(Tc)
    工作温度 -55℃~150℃(TJ)
    基本产品编号 SIE820
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 143nC@10V
    HTSUS 8541.29.0095
    ECCN EAR99
    REACH状态 非REACH产品
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    RoHS状态 符合ROHS3规范
    安装类型 表面贴装型
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    浏览记录
    封装:0603
    产品状态:
    封装:SOT23-3
    产品状态:
    封装:402
    产品状态:
    封装:402
    产品状态:
    封装:4-WLCSP(0.76x0.76)
    产品状态:
    封装:10-LFCSP-WD(3x3)
    产品状态:
    封装:SOT-25-5
    产品状态:
    封装:14-SOIC
    产品状态:
    封装:20-VQFN(4.2x4.2)
    产品状态:
    封装:SOT-23-6
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