| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) | |
| 封装 | 8-PowerWDFN | |
| FET类型 | N通道 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | |
| 25℃时电流-连续漏极(Id) | 33A（Tc） | |
| 驱动电压（最大RdsOn,最小RdsOn） | 10V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值） | 29毫欧@16.5A,10V | |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） | 4V@1mA | |
| Vgs（最大值） | ±20V | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值） | 2200pF@100V | |
| FET功能 | - | |
| 功率耗散（最大值） | 800mW（Ta）,142W（Tc） | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值） | 22nC@10V | |
| 供应商器件封装 | 8-DSOPAdvance | |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
|
|
封装：0603
产品状态：
|
|
|
封装：SOT23-3
产品状态：
|
|
|
封装：402
产品状态：
|
|
|
封装：402
产品状态：
|
|
|
封装：4-WLCSP（0.76x0.76）
产品状态：
|
|
|
封装：10-LFCSP-WD（3x3）
产品状态：
|
|
|
封装：SOT-25-5
产品状态：
|
|
|
封装：14-SOIC
产品状态：
|
|
|
封装：20-VQFN（4.2x4.2）
产品状态：
|
|
|
封装：8-SOIC
产品状态：
|
关注公众号，优惠活动早知道！
Copyright ©2023 wlxmall.com万联芯城版权所有 | 电信与信息服务业务经营许可证100798号 | 粤ICP备14012234号 | 投诉建议
客服电话：4000-306-326 文明办网文明上网举报电话：010-82615762 违法不良信息举报中心
| * 我的问题/建议： | |
| * 联系电话： | |
| 上传图片（选填）： |
请您提交2M以内的jpg,gif,png格式文件 |
| 投诉订单号（选填）： | |
购物车中还没有商品，赶紧选购吧！
加入购物车
DATASHEET
