SCT2H12NYTB |
在售 |
TO-268 |
D3170294645 |
商品分类 | 碳化硅MOS | |
品牌 | ROHM(罗姆) | |
封装 | TO-268 | |
FET类型 | N通道 | |
技术 | SiCFET(碳化硅) | |
漏源电压(Vdss) | 1700V | |
25℃时电流-连续漏极(Id) | 4A(Tc) | |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 18V | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 1.5欧姆@1.1A,18V | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 4V@410μA | |
Vgs(最大值) | +22V,-6V | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 184pF@800V | |
FET功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 44W(Tc) | |
工作温度 | 175℃(TJ) | |
基本产品编号 | SCT2H12 | |
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 14nC@18V | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
ECCN | EAR99 | |
REACH状态 | 非REACH产品 | |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) | |
RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | |
安装类型 | 表面贴装型 |