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晶体管/碳化硅MOS/SCT2H12NZGC11 管装

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  • RS库存:488 个(一管有45个)
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  • 海外库存:2006 个(一管有45个)
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  • TME库存:0 个(一管有45个)
    货期:2-15天发货
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  • CORESTAFF库存:163 个(一管有45个)
    货期:7-10天发货
    商品重量:0.00812500kg
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  • SCT2H12NZGC11
    在售
    TO-3PFM-3
    SCT2H12NZGC11DATASHEET
    L201712256841
    商品分类 碳化硅MOS
    品牌 ROHM(罗姆)
    封装 TO-3PFM-3
    包装
    FET类型 N通道
    技术 SiCFET(碳化硅)
    漏源电压(Vdss) 1700V
    25℃时电流-连续漏极(Id) 3.7A(Tc)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 18V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 1.5欧姆@1.1A,18V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V@900μA
    Vgs(最大值) +22V,-6V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 184pF@800V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 35W(Tc)
    工作温度 175℃(TJ)
    基本产品编号 SCT2H12
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 14nC@18V
    HTSUS 8541.29.0095
    ECCN EAR99
    REACH状态 非REACH产品
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    RoHS状态 符合ROHS3规范
    安装类型 通孔
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    封装:TO-268
    产品状态:在售
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    罗姆 语音合成LSI系列 产品手册
    品牌:罗姆 2023-09-05 281次 2次
    罗姆 工业设备应用 产品手册
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    罗姆 综合 产品手册
    品牌:罗姆 2023-09-05 274次 5次
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