h1_key

您当前的位置: 首页 > 存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM) > IS42VM32800K-6BLI
为方便购买元器件IS42VM32800K-6BLI,请您提前  登录

存储器/动态随机存取存储器(DRAM)/IS42VM32800K-6BLI

库存类型&价格:
领券
500-25
自营库存:0 个
商品重量:0.00010000kg
  • 购买数量:
    - +
    合计:
  • 国内现货库存:4 个
    货期:5-7天发货
    商品重量:0.00010000kg
  • 订货数量:
    - +
    合计:
  • 海外现货库存:0 个
    货期:7-15天发货
    商品重量:0.00010000kg
  • 订货数量:
    - +
    合计:
  • IS42VM32800K-6BLI
    在售
    90-TFBGA(8x13)
    D3170160203
    商品分类 动态随机存取存储器(DRAM)
    品牌 ISSI(美国芯成)
    封装 90-TFBGA(8x13)
    存储器类型 易失
    存储器格式 DRAM
    技术 SDRAM-移动
    存储容量 256Mb(8Mx32)
    存储器接口 并联
    时钟频率 166MHz
    写周期时间-字,页 -
    访问时间 5.5ns
    电压-供电 1.7V~1.95V
    工作温度 -40℃~85℃(TA)
    基本产品编号 IS42VM32800
    产品应用 工业级
    REACH状态 非REACH产品
    HTSUS 8542.32.0024
    ECCN EAR99
    湿气敏感性等级(MSL) 3(168小时)
    RoHS状态 符合ROHS3规范
    安装类型 表面贴装型
    根据勾选的参数属性查找商品。
    根据勾选的参数属性,为您找到 0 个类似商品 点击查看
    根据勾选的参数属性,没有为您找到类似商品。
    封装:90-TFBGA(8x13)
    产品状态:在售
    封装:90-TFBGA(8x13)
    产品状态:在售
    封装:90-TFBGA(8x13)
    产品状态:在售
    ISSI芯成 新版本eMMC 5.1系列产品手册
    品牌:芯成半导体 2023-10-27 283次 0次
    ISSI芯成 低引脚数RAM产品
    品牌:芯成半导体 2023-10-27 257次 0次
    ISSI芯成 产品选择指南
    品牌:芯成半导体 2023-10-27 255次 1次
    ISSI芯成 Octal (xSPI)存储产品手册
    品牌:芯成半导体 2023-10-27 262次 1次
    ISSI芯成 全系列SPI Flash产品手册
    品牌:芯成半导体 2023-10-27 248次 1次
    ISSI芯成 LPDDR2 DRAM容量涵盖256Mb-4Gb产品简介
    品牌:芯成半导体 2023-10-27 306次 0次
    ISSI芯成 ECC存储系列
    品牌:芯成半导体 2023-10-27 219次 0次
    ISSI芯成 64GB-256GB UFS 2.1和2.2产品手册
    品牌:芯成半导体 2023-10-27 253次 0次
    ISSI芯成 DDR3 DRAM 产品手册
    品牌:芯成半导体 2023-10-27 246次 0次
    ISSI芯成 LPDDR4 4X SDRAM产品手册
    品牌:芯成半导体 2023-10-27 240次 0次
    隐藏


    1

    您还可以继续添加对比商品

    2

    您还可以继续添加对比商品

    3

    您还可以继续添加对比商品

    10s
    温馨提示:
    订单商品问题请移至我的售后服务提交售后申请,其他需投诉问题可移至我的投诉提交,我们将在第一时间给您答复
    返回顶部