| 商品分类 | 动态随机存取存储器(DRAM) | |
| 品牌 | ISSI(美国芯成) | |
| 封装 | 90-TFBGA（8x13） | |
| 包装 | 托盘 | |
| 存储器类型 | 易失 | |
| 存储器格式 | DRAM | |
| 技术 | SDRAM-移动 | |
| 存储容量 | 256Mb（8Mx32） | |
| 存储器接口 | 并联 | |
| 时钟频率 | 133MHz | |
| 写周期时间-字,页 | - | |
| 访问时间 | 6ns | |
| 电压-供电 | 1.7V~1.95V | |
| 工作温度 | -40℃~85℃（TA） | |
| 基本产品编号 | IS42VM32800 | |
| 产品应用 | 工业级 | |
| REACH状态 | 非REACH产品 | |
| HTSUS | 8542.32.0024 | |
| ECCN | EAR99 | |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 3（168小时） | |
| RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
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封装：90-TFBGA（8x13）
产品状态：在售
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封装：90-TFBGA（8x13）
产品状态：在售
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封装：90-TFBGA（8x13）
产品状态：在售
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