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晶体管/场效应管(MOSFET)/SIZF914DT-T1-GE3
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|
SIZF914DT-T1-GE3 |
在售 |
PowerPAIR-6x5F |
DATASHEET
|
L203210543 |
|
商品分类 |
场效应管(MOSFET) |
|
品牌 |
VISHAY(威世) |
|
封装 |
PowerPAIR-6x5F |
|
包装 |
圆盘 |
|
FET类型 |
2N-通道(双) |
|
漏源电压(Vdss) |
25V |
|
25℃时电流-连续漏极(Id) |
23.5A(Ta),40A(Tc),52A(Ta),60A(Tc) |
|
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) |
3.8毫欧@10A,10V,0.9毫欧@10A,10V |
|
不同Id时Vgs(th)(最大值) |
2.4V@250μA,2.2V@250μA |
|
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) |
1050pF@10V,4670pF@10V |
|
FET功能 |
标准 |
|
工作温度 |
-55℃~150℃(TJ) |
|
基本产品编号 |
SIZF914 |
|
产品应用 |
汽车级 |
|
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) |
21nC@10V,98nC@10V |
|
功率-最大值 |
3.4W(Ta),26.6W(Tc),4W(Ta),60W(Tc) |
|
HTSUS |
8541.29.0095 |
|
ECCN |
EAR99 |
|
湿气敏感性等级(MSL) |
1(无限) |
|
RoHS状态 |
符合ROHS3规范 |
|
安装类型 |
表面贴装型 |
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