| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
| 品牌 | Nexperia(安世) | |
| 封装 | DFN1010B-6 | |
| 包装 | 圆盘 | |
| FET类型 | 2N-通道（双） | |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | |
| 25℃时电流-连续漏极(Id) | 600mA | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值） | 620毫欧@600mA,4.5V | |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） | 950mV@250μA | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值） | 21.3pF@10V | |
| FET功能 | 标准 | |
| 工作温度 | -55℃~150℃（TJ） | |
| 基本产品编号 | PMDXB600 | |
| 产品应用 | 汽车级 | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值） | 0.7nC@4.5V | |
| 功率-最大值 | 380mW | |
| HTSUS | 8541.21.0095 | |
| ECCN | EAR99 | |
| REACH状态 | 非REACH产品 | |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 1（无限） | |
| RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
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封装：DFN1010B-6
产品状态：在售
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