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晶体管/场效应管(MOSFET)/IRF1010NSTRLPBF

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  • IRF1010NSTRLPBF
    在售
    D2PAK
    IRF1010NSTRLPBFDATASHEET
    L19120914520
    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 Infineon(英飞凌)
    封装 D2PAK
    包装 圆盘
    FET类型 N通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 55V
    25℃时电流-连续漏极(Id) 85A(Tc)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 11毫欧@43A,10V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V@250μA
    Vgs(最大值) ±20V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3210pF@25V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 180W(Tc)
    工作温度 -55℃~175℃(TJ)
    基本产品编号 IRF1010
    产品应用 汽车级
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 120nC@10V
    HTSUS 8541.29.0095
    ECCN EAR99
    REACH状态 非REACH产品
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    RoHS状态 符合ROHS3规范
    安装类型 表面贴装型
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    封装:TO-263-2
    产品状态:不适用于新设计
    封装:TO-220-3
    产品状态:不适用于新设计
    封装:D2PAK
    产品状态:在售
    封装:TO-220AB
    产品状态:在售
    封装:TO-220AB
    产品状态:不适用于新设计
    封装:D2PAK
    产品状态:不适用于新设计
    封装:TO-220AB
    产品状态:不适用于新设计
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