商品分类 | 动态随机存取存储器(DRAM) | |
品牌 | ISSI(美国芯成) | |
封装 | 84-TWBGA(8x12.5) | |
包装 | 托盘 | |
存储器类型 | 易失 | |
存储器格式 | DRAM | |
技术 | SDRAM-DDR2 | |
存储容量 | 512Mb(32Mx16) | |
存储器接口 | 并联 | |
时钟频率 | 400MHz | |
写周期时间-字,页 | 15ns | |
访问时间 | 400ns | |
电压-供电 | 1.7V~1.9V | |
工作温度 | -40℃~85℃(TA) | |
基本产品编号 | IS43DR16320 | |
产品应用 | 工业级 | |
REACH状态 | 非REACH产品 | |
HTSUS | 8542.32.0028 | |
ECCN | EAR99 | |
湿气敏感性等级(MSL) | 3(168小时) | |
RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装:84-TWBGA(8x12.5)
产品状态:在售
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封装:84-TWBGA(8x12.5)
产品状态:在售
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封装:84-TWBGA(8x12.5)
产品状态:在售
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封装:84-TWBGA(8x12.5)
产品状态:在售
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封装:84-TWBGA(8x12.5)
产品状态:在售
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