| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
| 品牌 | AOS(美国万代) | |
| 封装 | DFN5x6 | |
| 包装 | 托盘 | |
| FET类型 | N通道 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 25℃时电流-连续漏极(Id) | 83A（Tc） | |
| 驱动电压（最大RdsOn,最小RdsOn） | 4.5V,10V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值） | 3.3mΩ@20A,10V | |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） | 2.2V@250UA | |
| Vgs（最大值） | ±20V | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值） | 1330pF@15V | |
| FET功能 | - | |
| 功率耗散（最大值） | 36W（Tc） | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值） | 35nC@10V | |
| 供应商器件封装 | 8-DFN（5x6） | |
| 封装/外壳 | 8-PowerSMD,扁平引线 |
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