商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
品牌 | AOS(美国万代) | |
封装 | DFN2x2B | |
包装 | 托盘 | |
FET类型 | P通道 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
25℃时电流-连续漏极(Id) | 8A(Ta) | |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 1.5V,4.5V | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 32mΩ@8A,4.5V | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 900mV@250UA | |
Vgs(最大值) | ±8V | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 1025pF@10V | |
FET功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 2.8W(Ta) | |
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 18nC@4.5V | |
供应商器件封装 | 6-DFN(2x2) | |
封装/外壳 | 6-UDFN裸露焊盘 |