| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
| 品牌 | AOS(美国万代) | |
| 封装 | TO-252 | |
| 包装 | 圆盘 | |
| FET类型 | - | |
| 技术 | - | |
| 漏源电压（Vdss） | - | |
| 25℃时电流-连续漏极(Id) | - | |
| 驱动电压（最大RdsOn,最小RdsOn） | - | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值） | - | |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） | - | |
| Vgs（最大值） | - | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值） | - | |
| FET功能 | - | |
| 功率耗散（最大值） | - | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值） | - | |
| 供应商器件封装 | TO-252（DPAK） | |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak（2引线+接片）,SC-63 |
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