| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
| 品牌 | DIODES(美台) | |
| 封装 | X4-DSN3118-6 | |
| 包装 | 圆盘 | |
| FET类型 | 2N沟道（双）共漏 | |
| 漏源电压（Vdss） | - | |
| 25℃时电流-连续漏极(Id) | - | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值） | - | |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） | - | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值） | - | |
| FET功能 | 标准 | |
| 工作温度 | -55℃~150℃（TJ） | |
| 基本产品编号 | DMN1002 | |
| 产品应用 | 汽车级 | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值） | 68.6nC@4V | |
| 功率-最大值 | 1.1W | |
| HTSUS | 8541.29.0095 | |
| ECCN | EAR99 | |
| REACH状态 | 非REACH产品 | |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 1（无限） | |
| RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
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