商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
品牌 | TI(德州仪器) | |
封装 | - | |
包装 | 整包装 | |
FET类型 | 2N-通道(双) | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
25℃时电流-连续漏极(Id) | 25A | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 1.9V@250μA | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 1050pF@15V | |
FET功能 | 标准 | |
工作温度 | -55℃~150℃(TJ) | |
基本产品编号 | CSD87335Q3D | |
产品应用 | 汽车级 | |
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 7.4nC@4.5V | |
功率-最大值 | 6W | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
ECCN | EAR99 | |
REACH状态 | REACH产品 | |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) | |
RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | |
安装类型 | 表面贴装型 |
CSD87335Q3D 系列原理图 |
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