| CSD19534Q5AT |
| 在售 |
| (DQJ)-8 |
| TI1933384 |
| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
| 品牌 | TI(德州仪器) | |
| 封装 | (DQJ)-8 | |
| 包装 | 整包装 | |
| FET类型 | N通道 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 25℃时电流-连续漏极(Id) | 50A（Ta） | |
| 驱动电压（最大RdsOn,最小RdsOn） | 6V,10V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值） | 15.1毫欧@10A,10V | |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） | 3.4V@250μA | |
| Vgs（最大值） | ±20V | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值） | 1680pF@50V | |
| FET功能 | - | |
| 功率耗散（最大值） | 3.2W（Ta）,63W（Tc） | |
| 工作温度 | -55℃~150℃（TJ） | |
| 基本产品编号 | CSD19534Q5A | |
| 产品应用 | 汽车级 | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值） | 22nC@10V | |
| HTSUS | 8541.29.0095 | |
| ECCN | EAR99 | |
| REACH状态 | REACH产品 | |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 1（无限） | |
| RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
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封装：VSONP-8
产品状态：在售
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