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晶体管/场效应管(MOSFET)/CSD18540Q5BT

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  • CSD18540Q5BT
    在售
    -
    TI1933376
    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 TI(德州仪器)
    封装 -
    包装 整包装
    FET类型 N通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 60V
    25℃时电流-连续漏极(Id) 100A(Ta)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 2.2毫欧@28A,10V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.3V@250μA
    Vgs(最大值) ±20V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4230pF@30V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),195W(Tc)
    工作温度 -55℃~150℃(TJ)
    基本产品编号 CSD18540Q5B
    产品应用 汽车级
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 53nC@10V
    HTSUS 8541.29.0095
    ECCN EAR99
    REACH状态 REACH产品
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    RoHS状态 符合ROHS3规范
    安装类型 表面贴装型
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        此 1.8mΩ、60V NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗 并且采用了 5mm × 6mm SON 封装。中的封装尺寸拼写错误
    封装:VSON-CLIP-8
    产品状态:在售

    CSD18540Q5B 系列原理图

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    浏览记录
    封装:64-LQFP(10x10)
    产品状态:
    封装:8-SOIC
    产品状态:
    封装:28-SSOP
    产品状态:
    封装:DO-204AL(DO-41)
    产品状态:
    封装:GL41(DO-213AB)
    产品状态:
    封装:SOT-523
    产品状态:
    封装:8-SOIC
    产品状态:
    封装:SOIC-16_300mil
    产品状态:
    封装:SMD,1.6x1.6mm
    产品状态:
    封装:QFN-32_5x5x05P
    产品状态:
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