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电源管理/DC-DC电源芯片/TPS5430DDAR

库存类型&价格:
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  • 国内现货库存:16000 个(一整包装有2500个) 年份:23+
    货期:3-6天发货
    商品重量:0.00026600kg
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  • TI库存:8584 个(一整包装有2500个)
    货期:7-10天发货
    商品重量:0.00026600kg
  • 订货数量:
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  • 海外现货库存:3854 个(一整包装有2500个)
    货期:7-15天发货
    商品重量:0.00026600kg
  • 订货数量:
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  • E络盟库存:1651 个(一整包装有2500个)
    货期:2-15天发货
    商品重量:0.00026600kg
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  • TME库存:3254 个(一整包装有2500个)
    货期:2-15天发货
    商品重量:0.00026600kg
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  • CORESTAFF库存:1720 个(一整包装有2500个) 年份:2018
    货期:7-10天发货
    商品重量:0.00026600kg
  • 订货数量:
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    合计:
  • TPS5430DDAR
    在售
    SO PowerPAD-8
    TPS5430DDARDATASHEET
    TI1926977
    商品分类 DC-DC电源芯片
    品牌 TI(德州仪器)
    封装 SO PowerPAD-8
    包装 整包装
    功能 降压
    输出配置
    拓扑 降压
    输出类型 可调式
    输出数 1
    电压-输入(最小值) 5.5V
    电压-输入(最大值) 36V
    电压-输出(最小值/固定) 1.221V
    电压-输出(最大值) 32.04V
    电流-输出 3A
    频率-开关 500kHz
    同步整流器
    工作温度 -40℃~125℃(TJ)
    基本产品编号 TPS5430
    产品应用 汽车级
    HTSUS 8542.39.0001
    ECCN EAR99
    REACH状态 非REACH产品
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    RoHS状态 符合ROHS3规范
    安装类型 表面贴装型
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      TPS5430DDAR是一种高输出电流PWM转换器,集成了低电阻、高侧N沟道MOSFET。基板上包括一个高性能电压误差放大器,在瞬态条件下提供严格的电压调节精度;欠压锁定电路,防止启动,直到输入电压达到5.5V;内部设置的缓慢启动电路,用于限制涌入电流;和电压前馈电路,以改善瞬态响应。使用ENA引脚,停机电源电流通常降至18mA。其他功能包括有源高使能、过电流限制、过电压保护和热关机。为了降低设计复杂度和外部元件数量,TPS543x反馈回路进行内部补偿。TPS5431旨在通过高达23 V的电源轨运行。TPS5430调节包括24 V总线在内的多种电源。  TPS5430DDAR是一种3-a降压(buck)稳压器,带有集成的高端n沟道MOSFET。TPS5431的工作电压最高为23 V,TPS5430的工作电压最高为36 V。这些设备通过电压前馈实现恒频电压模式控制,以改善线路调节和线路瞬态响应。内部补偿降低了设计复杂性和外部组件数量。

      集成110-mΩ高压侧MOSFET支持高效电源设计,能够向负载提供3-A连续电流。集成高压侧MOSFET的栅极驱动偏置电压由连接自举到PH引脚的自举电容器提供。TPS5430DDAR通过集成自举充电二极管来减少外部组件计数。

      TPS5430DDAR的默认输入启动电压通常为5.3 V。ENA引脚可用于禁用TPS5430DDAR,将电源电流降低至18µA。当ENA引脚浮动时,内部上拉电流源启用操作。TPS5430DDAR包括一个内部慢启动电路,该电路在启动期间减慢输出上升时间,以减少冲击电流和输出电压过冲。最小输出电压为内部1.221-V反馈基准。输出过电压瞬态通过过电压保护(OVP)比较器最小化。当OVP比较器激活时,高压侧MOSFET关闭并保持关闭,直到输出电压低于预期输出电压的112.5%。

      内部逐周期过电流保护限制集成高侧MOSFET中的峰值电流。对于连续过电流故障条件,TPS5430DDAR将进入打嗝模式过电流限制。热保护可防止设备过热。

    封装:SO PowerPAD-8
    产品状态:在售
    封装:SO PowerPAD-8
    产品状态:在售
    封装:SO PowerPAD-8
    产品状态:在售
    封装:SO-8
    产品状态:在售

    TPS5430 系列原理图

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