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晶体管/场效应管(MOSFET)/RTQ020N03TR 编带
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RTQ020N03TR数据手册下载

商品分类 场效应管(MOSFET)
品牌 ROHM(罗姆)
封装 TSMT-6
包装 圆盘
FET类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C时电流-连续漏极(Id) 2A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 2.5V,4.5V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 125 毫欧 @ 2A,4.5V
不同Id时Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 3.3 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±12V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 135 pF @ 10 V
FET功能 -
功率耗散(最大值) 1.25W(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
基本产品编号 RTQ020
RoHS状态 符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
REACH状态 非 REACH 产品
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
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