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晶体管/场效应管(MOSFET)/IRF6614TRPBF 编带

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  • IRF6614TRPBF
    DIRECTFET
    IRF6614TRPBFDATASHEET
    L20186934321
    0.000100kg

    IRF6614TRPBF数据手册下载

    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 Infineon(英飞凌)
    封装 DIRECTFET
    包装
    商品标签 汽车级
    FET类型 N 通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 40 V
    25°C时电流-连续漏极(Id) 12.7A(Ta),55A(Tc)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 8.3 毫欧 @ 12.7A,10V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.25V @ 250μA
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 29 nC @ 4.5 V
    Vgs(最大值) ±20V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2560 pF @ 20 V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),42W(Tc)
    工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型 表面贴装型
    基本产品编号 IRF6614
    RoHS状态 符合 ROHS3 规范
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    REACH状态 非 REACH 产品
    ECCN EAR99
    HTSUS 8541.29.0095
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