商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
品牌 | ON(安森美) | |
封装 | TSOP-6 | |
包装 | 盘 | |
FET类型 | N和P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
25℃时电流-连续漏极(Id) | 2.6A,1.9A | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 90毫欧@2.6A,4.5V | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 1.5V@250μA | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 295pF@15V | |
FET功能 | 逻辑电平门 | |
工作温度 | -55℃~150℃(TJ) | |
基本产品编号 | NTGD4167 | |
产品应用 | 汽车级 | |
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 5.5nC@4.5V | |
功率-最大值 | 900mW | |
HTSUS | 8541.21.0095 | |
ECCN | EAR99 | |
REACH状态 | 非REACH产品 | |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) | |
RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | |
安装类型 | 表面贴装型 |