商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
品牌 | Nexperia(安世) | |
封装 | SOT-363 | |
包装 | 盘 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
25℃时电流-连续漏极(Id) | 300mA | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 1.6Ω@500mA,10V | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.1V@250UA | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 50pF@10V | |
FET功能 | 逻辑电平门 | |
产品应用 | 汽车级 | |
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 0.6nC@4.5V | |
功率-最大值 | 295mW | |
配置 | 2N-通道(双) | |
供应商器件封装 | 6-TSSOP | |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | |
等级 | AEC-Q101 |