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晶体管/场效应管(MOSFET)/IRFB20N50KPBF

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  • IRFB20N50KPBF
    TO-220(TO-220-3)
    IRFB20N50KPBFDATASHEET
    L20171200
    0.002680kg

    IRFB20N50KPBF数据手册下载

    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 VISHAY(威世)
    封装 TO-220(TO-220-3)
    包装
    商品标签 汽车级
    FET类型 N 通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 500 V
    25°C时电流-连续漏极(Id) 20A(Tc)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 250 毫欧 @ 12A,10V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 110 nC @ 10 V
    Vgs(最大值) ±30V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2870 pF @ 25 V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 280W(Tc)
    工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型 通孔
    基本产品编号 IRFB20
    RoHS状态 符合 ROHS3 规范
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    ECCN EAR99
    HTSUS 8541.29.0095
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