AOSD21307 |
在售 |
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
D230629216875 |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
品牌 | AOS(美国万代) | |
封装 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | |
包装 | 卷 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
25℃时电流-连续漏极(Id) | 9A(Ta) | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 16毫欧@9A,10V | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.3V@250UA | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 1995pF@15V | |
FET功能 | - | |
工作温度 | -55℃~150℃(TJ) | |
基本产品编号 | AOSD213 | |
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 51nC@10V | |
功率-最大值 | 2W(Ta) | |
配置 | 2个P沟道(双) | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
ECCN | EAR99 | |
REACH状态 | 非REACH产品 | |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) | |
RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | |
安装类型 | 表面贴装型 |