商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
品牌 | DIODES(美台) | |
封装 | SOT-563,SOT-666 | |
包装 | 卷 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 50V | |
25℃时电流-连续漏极(Id) | 350mA(Ta) | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 1.6欧姆@500mA,10V | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 1.5V@250UA | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 46pF@25V | |
FET功能 | - | |
工作温度 | -55℃~150℃(TJ) | |
基本产品编号 | DMN53 | |
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 0.6nC@4.5V | |
功率-最大值 | 430mW(Ta) | |
配置 | 2N-通道(双) | |
HTSUS | 8541.21.0095 | |
ECCN | EAR99 | |
REACH状态 | 非REACH产品 | |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) | |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装:SOT-323
产品状态:在售
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封装:SOT-363
产品状态:在售
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封装:SOT-23
产品状态:在售
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封装:SOT-23
产品状态:在售
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封装:SOT-23-3
产品状态:在售
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封装:SOT-323
产品状态:在售
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封装:SOT-23-3
产品状态:在售
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封装:SOT-23-3
产品状态:在售
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封装:SOT-23-3
产品状态:在售
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封装:SOT-363
产品状态:在售
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