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晶体管/场效应管(MOSFET)/PSMN013-60HSX

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  • PSMN013-60HSX
    在售
    SOT-1205,8-LFPAK56
    PSMN013-60HSXDATASHEET
    D230629211222
    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 Nexperia(安世)
    封装 SOT-1205,8-LFPAK56
    包装
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 60V
    25℃时电流-连续漏极(Id) 40A(Ta)
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 10毫欧@10A,10V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V@1mA
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2163pF@25V
    FET功能 -
    工作温度 -55℃~175℃(TJ)
    基本产品编号 PSMN013
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 30.1nC@10V
    功率-最大值 64W(Ta)
    配置 2N-通道(双)
    HTSUS 8541.29.0095
    ECCN EAR99
    REACH状态 非REACH产品
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    RoHS状态 符合ROHS3规范
    安装类型 表面贴装型
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    封装:LFPAK56-5
    产品状态:在售
    封装:TO-263-3
    产品状态:在售
    封装:LFPAK56-5
    产品状态:在售
    封装:LFPAK56-5
    产品状态:在售
    封装:LFPAK33-8
    产品状态:在售
    封装:TO-220AB
    产品状态:在售
    封装:LFPAK56,Power-SO8
    产品状态:在售
    封装:SOT-1205,8-LFPAK56
    产品状态:在售
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