商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
品牌 | Nexperia(安世) | |
封装 | SC-100,SOT-669 | |
包装 | 卷 | |
FET类型 | N通道 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 80V | |
25℃时电流-连续漏极(Id) | 100A(Ta) | |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 7V,10V | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 4.5毫欧@25A,10V | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 4V@1mA | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 6009pF@40V | |
FET功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 238W(Ta) | |
工作温度 | -55℃~175℃(TJ) | |
基本产品编号 | PSMN4R5 | |
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 90nC@10V | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
ECCN | EAR99 | |
REACH状态 | 非REACH产品 | |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) | |
RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | |
安装类型 | 表面贴装型 |