商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
品牌 | DIODES(美台) | |
封装 | SOT963 | |
包装 | 卷 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
25℃时电流-连续漏极(Id) | 220mA(Ta) | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 1.5欧姆@100mA,4.5V | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 1V@250UA | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 22.6pF@15V | |
FET功能 | - | |
工作温度 | -55℃~150℃(TJ) | |
基本产品编号 | DMN31 | |
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 0.38nC@4.5V | |
功率-最大值 | 350mW(Ta) | |
配置 | 2N-通道(双) | |
HTSUS | 0000.00.0000 | |
REACH状态 | 非REACH产品 | |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) | |
RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装:X2-DFN0606-3
产品状态:在售
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封装:SOT-523
产品状态:在售
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封装:SOT-23-3
产品状态:在售
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封装:SOT-523
产品状态:在售
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封装:SOT-23-3
产品状态:在售
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封装:X2-DFN0806-6
产品状态:在售
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封装:3-XFDFN
产品状态:在售
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