| HN1B04FU-Y,LF |
| 在售 |
| US6 |
| D3170311516 |
| 商品分类 | 达林顿晶体管阵列 | |
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) | |
| 封装 | US6 | |
| 晶体管类型 | NPN,PNP | |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 150mA | |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V | |
| 不同Ib、Ic时Vce饱和压降（最大值） | 250mV@10mA,100mA,300mV@10mA,100mA | |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） | |
| 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)（最小值） | 120@2mA,6V | |
| 功率-最大值 | 200mW | |
| 频率-跃迁 | 150MHz | |
| 工作温度 | 125℃（TJ） | |
| 基本产品编号 | HN1B04 | |
| HTSUS | 8541.21.0075 | |
| ECCN | EAR99 | |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 1（无限） | |
| RoHS状态 | 符合RoHS规范 | |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
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封装：ES6
产品状态：在售
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封装：ES6
产品状态：在售
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封装：US6
产品状态：在售
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封装：US6
产品状态：在售
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