IPG20N06S2L65AATMA1 |
在售 |
PG-TDSON-8-10 |
D3170304389 |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
品牌 | Infineon(英飞凌) | |
封装 | PG-TDSON-8-10 | |
包装 | 圆盘 | |
FET类型 | 2N-通道(双) | |
漏源电压(Vdss) | 55V | |
25℃时电流-连续漏极(Id) | 20A | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 65毫欧@15A,10V | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2V@14μA | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 410pF@25V | |
FET功能 | 逻辑电平门 | |
工作温度 | -55℃~175℃(TJ) | |
基本产品编号 | IPG20N06 | |
产品应用 | 汽车级 | |
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 12nC@10V | |
功率-最大值 | 43W | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
ECCN | EAR99 | |
REACH状态 | 非REACH产品 | |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) | |
RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | |
安装类型 | 表面贴装,可润湿侧翼 | |
等级 | AEC-Q101 |