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晶体管/场效应管(MOSFET)/IXTA08N100D2HV

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  • IXTA08N100D2HV
    在售
    TO-263HV
    D3170301372
    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 IXYS(艾赛斯)
    封装 TO-263HV
    FET类型 N通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 1000V
    25℃时电流-连续漏极(Id) 800mA(Tj)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 0V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 21欧姆@400mA,0V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V@25μA
    Vgs(最大值) ±20V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 325pF@25V
    FET功能 耗尽模式
    功率耗散(最大值) 60W(Tc)
    工作温度 -55℃~150℃(TJ)
    基本产品编号 IXTA08
    产品应用 汽车级
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 14.6nC@5V
    HTSUS 8541.29.0095
    ECCN EAR99
    REACH状态 非REACH产品
    安装类型 表面贴装型
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    封装:TO-263-2
    产品状态:在售
    封装:TO-263AA
    产品状态:在售
    封装:TO-263AA
    产品状态:在售
    封装:TO-263(D2Pak)
    产品状态:在售
    封装:TO-263HV
    产品状态:在售
    封装:TO-263(D2Pak)
    产品状态:在售
    封装:TO-263AA
    产品状态:在售
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    封装:SIP
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    封装:14-TSSOP
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