h1_key

您当前的位置: 首页 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > IRLZ14STRLPBF
为方便购买元器件IRLZ14STRLPBF,请您提前  登录

晶体管/场效应管(MOSFET)/IRLZ14STRLPBF

库存类型&价格:
领券
500-25
自营库存:0 个
商品重量:0.00010000kg
  • 购买数量:
    - +
    合计:
  • 库存:
    商品重量:0.00010000kg
  • 订货数量:
    - +
    合计:
  • 海外现货库存:4198 个
    货期:7-15天发货
    商品重量:0.00010000kg
  • 订货数量:
    - +
    合计:
  • TME库存:0 个
    货期:2-15天发货
    商品重量:0.00010000kg
  • 订货数量:
    - +
    合计:
  • IRLZ14STRLPBF
    在售
    D2PAK(TO-263)
    D3170295298
    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 VISHAY(威世)
    封装 D2PAK(TO-263)
    FET类型 N通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 60V
    25℃时电流-连续漏极(Id) 10A(Tc)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4V,5V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 200毫欧@6A,5V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V@250μA
    Vgs(最大值) ±10V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 400pF@25V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 3.7W(Ta),43W(Tc)
    工作温度 -55℃~175℃(TJ)
    基本产品编号 IRLZ14
    产品应用 汽车级
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 8.4nC@5V
    HTSUS 8541.29.0095
    ECCN EAR99
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    RoHS状态 符合ROHS3规范
    安装类型 表面贴装型
    根据勾选的参数属性查找商品。
    根据勾选的参数属性,为您找到 0 个类似商品 点击查看
    根据勾选的参数属性,没有为您找到类似商品。
    封装:TO-263-2
    产品状态:在售
    封装:TO-220AB
    产品状态:在售
    封装:TO-220AB
    产品状态:在售
    封装:D2PAK(TO-263)
    产品状态:在售
    浏览记录
    封装:16-SO
    产品状态:
    封装:8-MSOP
    产品状态:
    封装:32-LFCSP-VQ(5x5)
    产品状态:
    封装:32-LFCSP-VQ(5x5)
    产品状态:
    封装:64-LFCSP-VQ(9x9)
    产品状态:
    封装:64-LQFP(10x10)
    产品状态:
    封装:16-TSSOP
    产品状态:
    封装:SOT-323
    产品状态:
    封装:14-SOIC
    产品状态:
    封装:14-PDIP
    产品状态:
    隐藏


    1

    您还可以继续添加对比商品

    2

    您还可以继续添加对比商品

    3

    您还可以继续添加对比商品

    10s
    温馨提示:
    订单商品问题请移至我的售后服务提交售后申请,其他需投诉问题可移至我的投诉提交,我们将在第一时间给您答复
    返回顶部