| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) | |
| 封装 | SOT23F | |
| FET类型 | P通道 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 漏源电压（Vdss） | 12V | |
| 25℃时电流-连续漏极(Id) | 6A（Ta） | |
| 驱动电压（最大RdsOn,最小RdsOn） | 1.8V,8V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值） | 17.6mΩ@6A,8V | |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） | 1V@1mA | |
| Vgs（最大值） | ±10V | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值） | 1400pF@6V | |
| FET功能 | - | |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值） | 19.5nC@4.5V | |
| 供应商器件封装 | SOT-23F | |
| 封装/外壳 | SOT-23-3扁平引线 |
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封装：SOIC-8_150mil
产品状态：
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封装：402
产品状态：
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封装：ITO-220AB
产品状态：
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封装：SOT-23-5
产品状态：
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封装：18-SOIC
产品状态：
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封装：8-MSOP
产品状态：
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封装：8-DFN（2x3）
产品状态：
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封装：8-DMP
产品状态：
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封装：0402
产品状态：
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封装：PowerDI-123
产品状态：
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