| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
| 品牌 | Infineon(英飞凌） | |
| 封装 | SOT23 | |
| 包装 | 整包装 | |
| FET类型 | N通道 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 25℃时电流-连续漏极(Id) | 1.6A（Ta） | |
| 驱动电压（最大RdsOn,最小RdsOn） | 4.5V,10V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值） | 220mΩ@1.6A,10V | |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） | 2.5V@25UA | |
| Vgs（最大值） | ±16V | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值） | 290pF@25V | |
| FET功能 | - | |
| 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值） | 2.5nC@4.5V | |
| 供应商器件封装 | Micro3/SOT-23 | |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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封装：35*30
产品状态：
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封装：QFN-20_4x4x05P
产品状态：
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封装：TSSOP-14
产品状态：
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封装：14-TSSOP
产品状态：
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封装：轴向
产品状态：
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封装：20-QFN（4x4）
产品状态：
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封装：8-DFN（2x3）
产品状态：
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封装：8-SOIC
产品状态：
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封装：SOD-123
产品状态：
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封装：-
产品状态：
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