| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
| 品牌 | Infineon(英飞凌） | |
| 封装 | SOIC-8 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 漏源电压（Vdss） | 55V | |
| 25℃时电流-连续漏极(Id) | 4.7A | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值） | 50mΩ@4.7A,10V | |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） | 1V@250UA | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值） | 740pF@25V | |
| FET功能 | 逻辑电平门 | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值） | 36nC@10V | |
| 功率-最大值 | 2W | |
| 配置 | 2N-通道（双） | |
| 供应商器件封装 | 8-SO | |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154",3.90mm宽） |
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封装：TO-220-7C
产品状态：
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封装：28-SSOP
产品状态：
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封装：U-DFN2020-6
产品状态：
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封装：8-DFN-S（6x5）
产品状态：
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封装：-
产品状态：
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封装：SOT-23-5
产品状态：
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封装：TQFP-64_10x10x05...
产品状态：
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封装：P=2.54mm
产品状态：
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封装：8-SOIC
产品状态：
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封装：8-TSSOP
产品状态：
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