| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
| 品牌 | Infineon(英飞凌） | |
| 封装 | TO263-2 | |
| 包装 | 整包装 | |
| FET类型 | N通道 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 25℃时电流-连续漏极(Id) | 97A（Tc） | |
| 驱动电压（最大RdsOn,最小RdsOn） | 10V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值） | 9mΩ@58A,10V | |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） | 4V@150UA | |
| Vgs（最大值） | ±20V | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值） | 4820pF@50V | |
| FET功能 | - | |
| 功率耗散（最大值） | 230W（Tc） | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值） | 120nC@10V | |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D2Pak（2引线+接片）,TO-263AB | |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
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