商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
品牌 | Nexperia(安世) | |
封装 | SOT669 | |
包装 | 圆盘 | |
FET类型 | N通道 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
25℃时电流-连续漏极(Id) | 14.8A(Tc) | |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 5V,10V | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 99毫欧@5A,10V | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.15V@1mA | |
Vgs(最大值) | ±15V | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 1139pF@25V | |
FET功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 59W(Tc) | |
工作温度 | -55℃~175℃(TJ) | |
基本产品编号 | BUK9Y104 | |
产品应用 | 汽车级 | |
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 11nC@5V | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
ECCN | EAR99 | |
REACH状态 | 非REACH产品 | |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) | |
RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
等级 | AEC-Q101 |