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晶体管/场效应管(MOSFET)/IPD60R180P7ATMA1

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  • IPD60R180P7ATMA1
    在售
    TO-252-3
    IPD60R180P7ATMA1DATASHEET
    L203210680
    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 Infineon(英飞凌)
    封装 TO-252-3
    包装 圆盘
    FET类型 N通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 650V
    25℃时电流-连续漏极(Id) 18A(Tc)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 180毫欧@5.6A,10V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V@280μA
    Vgs(最大值) ±20V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1081pF@400V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 72W(Tc)
    工作温度 -55℃~150℃(TJ)
    基本产品编号 IPD60R180
    产品应用 汽车级
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 25nC@10V
    HTSUS 8541.29.0095
    ECCN EAR99
    REACH状态 非REACH产品
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    RoHS状态 符合ROHS3规范
    安装类型 表面贴装型
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