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晶体管/场效应管(MOSFET)/IPD50R280CEAUMA1

  • 梯度
  • 参考价格
  • 1~9个
  •  ¥ 18.612
  • 10~99个
  •  ¥ 15.9942
  • 100~499个
  •  ¥ 12.2946
  • 500~999个
  •  ¥ 9.642
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  • IPD50R280CEAUMA1
    TO-252-3
    IPD50R280CEAUMA1DATASHEET
    L203210625
    0.000100kg

    IPD50R280CEAUMA1数据手册下载

    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 Infineon(英飞凌)
    封装 TO-252-3
    包装 圆盘
    商品标签 汽车级
    FET类型 N 通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 550 V
    25°C时电流-连续漏极(Id) 13A(Ta)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 13V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 280 毫欧 @ 4.2A,13V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 350μA
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 32.6 nC @ 10 V
    Vgs(最大值) ±20V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 773 pF @ 100 V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 119W(Tc)
    工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型 表面贴装型
    基本产品编号 IPD50R280
    RoHS状态 符合 ROHS3 规范
    湿气敏感性等级(MSL) 3(168 小时)
    REACH状态 非 REACH 产品
    ECCN EAR99
    HTSUS 8541.29.0095
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