h1_key

您当前的位置: 首页 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > IPD60R400CEAUMA1
为方便购买元器件IPD60R400CEAUMA1,请您提前 登录 X

晶体管/场效应管(MOSFET)/IPD60R400CEAUMA1

  • 梯度
  • 参考价格
  • 1~9个
  •  ¥ 15.396
  • 10~99个
  •  ¥ 13.1594
  • 100~499个
  •  ¥ 9.811
  • 500~999个
  •  ¥ 7.7364
  • 单价:
  • 库存数量:
  • 库存地点:
  • 货期:
  • 订购量:
    - +
    合计:
  •  
  • 我要订货
  • IPD60R400CEAUMA1
    TO252-3
    IPD60R400CEAUMA1DATASHEET
    L203210572
    0.000100kg

    IPD60R400CEAUMA1数据手册下载

    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 Infineon(英飞凌)
    封装 TO252-3
    商品标签 汽车级
    FET类型 N 通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 600 V
    25°C时电流-连续漏极(Id) 14.7A(Tc)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 400 毫欧 @ 3.8A,10V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 300μA
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 32 nC @ 10 V
    Vgs(最大值) ±20V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 700 pF @ 100 V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 112W(Tc)
    工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型 表面贴装型
    基本产品编号 IPD60R400
    RoHS状态 符合 ROHS3 规范
    湿气敏感性等级(MSL) 3(168 小时)
    REACH状态 非 REACH 产品
    ECCN EAR99
    HTSUS 8541.29.0095
    根据勾选的参数属性查找商品。
    根据勾选的参数属性,为您找到 0 个类似商品 点击查看
    根据勾选的参数属性,没有为您找到类似商品。
    隐藏


    1

    您还可以继续添加对比商品

    2

    您还可以继续添加对比商品

    3

    您还可以继续添加对比商品

    10s
    温馨提示:
    订单商品问题请移至我的售后服务提交售后申请,其他需投诉问题可移至我的投诉提交,我们将在第一时间给您答复
    返回顶部