h1_key

您当前的位置: 首页 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > FQD1N60CTM
为方便购买元器件FQD1N60CTM,请您提前 登录 X

晶体管/场效应管(MOSFET)/FQD1N60CTM

  • 梯度
  • 参考价格
  • 1+
  •  ¥ 4.464
  • 10+
  •  ¥ 3.355
  • 30+
  •  ¥ 2.856
  • 100+
  •  ¥ 2.261
  • 单价:
  • 库存数量:
  • 货期:
  • 订购量:
    - +
    合计:
  •  
  • 我要订货
  • FQD1N60CTM
    TO-252-3
    L203210369
    0.000100kg

    FQD1N60CTM参数

    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 ON(安森美)
    封装 TO-252-3
    包装 圆盘
    商品标签 汽车级
    FET类型 N 通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 600 V
    25°C时电流-连续漏极(Id) 1A(Tc)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 11.5 欧姆 @ 500mA,10V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 6.2 nC @ 10 V
    Vgs(最大值) ±30V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 170 pF @ 25 V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc)
    工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型 表面贴装型
    基本产品编号 FQD1N60
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    ECCN EAR99
    HTSUS 8541.29.0095
    根据勾选的参数属性查找商品。
    根据勾选的参数属性,为您找到 0 个类似商品 点击查看
    根据勾选的参数属性,没有为您找到类似商品。
    隐藏


    1

    您还可以继续添加对比商品

    2

    您还可以继续添加对比商品

    3

    您还可以继续添加对比商品

    10s
    温馨提示:
    订单商品问题请移至我的售后服务提交售后申请,其他需投诉问题可移至我的投诉提交,我们将在第一时间给您答复
    返回顶部