h1_key

您当前的位置: 首页 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > PSMN2R4-30YLDX
为方便购买元器件PSMN2R4-30YLDX,请您提前  登录

晶体管/场效应管(MOSFET)/PSMN2R4-30YLDX

库存类型&价格:
领券
500-25
自营库存:0 个(一圆盘有1500个)
货期:1-3天发货
商品重量:0.00013000kg
  • 购买数量:
    - +
    合计:
  • 国内库存:4800 个(一圆盘有1500个) 年份:22+
    货期:3-6天发货
    商品重量:0.00013000kg
  • 订货数量:
    - +
    合计:
  • 海外库存:2670 个(一圆盘有1500个)
    货期:7-15天发货
    商品重量:0.00013000kg
  • 订货数量:
    - +
    合计:
    活动已优惠:
  • TME库存:0 个(一圆盘有1500个)
    货期:2-15天发货
    商品重量:0.00013000kg
  • 订货数量:
    - +
    合计:
    活动已优惠:
  • PSMN2R4-30YLDX
    在售
    LFPAK56
    PSMN2R4-30YLDXDATASHEET
    L203210349
    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 Nexperia(安世)
    封装 LFPAK56
    包装 圆盘
    FET类型 N通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 30V
    25℃时电流-连续漏极(Id) 100A(Tc)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 2.4毫欧@25A,10V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V@1mA
    Vgs(最大值) ±20V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2256pF@15V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 106W(Tc)
    工作温度 -55℃~175℃(TJ)
    基本产品编号 PSMN2R4
    产品应用 汽车级
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 31.3nC@10V
    HTSUS 8541.29.0095
    ECCN EAR99
    REACH状态 非REACH产品
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    RoHS状态 符合ROHS3规范
    安装类型 表面贴装型
    根据勾选的参数属性查找商品。
    根据勾选的参数属性,为您找到 0 个类似商品 点击查看
    根据勾选的参数属性,没有为您找到类似商品。
    封装:LFPAK33-8
    产品状态:在售
    安世产品 选型指南-2023
    品牌:安世 2023-09-06 378次 1次
    安世 车规级Power-SO8高性能 产品手册
    品牌:安世 2023-09-06 289次 2次
    安世 PicoGate主导的逻辑 产品指南
    品牌:安世 2023-09-06 256次 1次
    安世 逻辑转换器 产品手册
    品牌:安世 2023-09-06 249次 2次
    安世 MicroPak无引线逻辑 产品指南
    品牌:安世 2023-09-06 297次 2次
    安世 Nexperia选型指南
    品牌:安世 2023-02-20 432次 40次
    隐藏


    1

    您还可以继续添加对比商品

    2

    您还可以继续添加对比商品

    3

    您还可以继续添加对比商品

    10s
    温馨提示:
    订单商品问题请移至我的售后服务提交售后申请,其他需投诉问题可移至我的投诉提交,我们将在第一时间给您答复
    返回顶部