| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
| 品牌 | Nexperia(安世) | |
| 封装 | DFN1006B-3 | |
| 包装 | 圆盘 | |
| FET类型 | P通道 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | |
| 25℃时电流-连续漏极(Id) | 1A（Ta） | |
| 驱动电压（最大RdsOn,最小RdsOn） | 1.8V,4.5V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值） | 450毫欧@300mA,4.5V | |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） | 950mV@250μA | |
| Vgs（最大值） | ±8V | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值） | 127pF@10V | |
| FET功能 | - | |
| 功率耗散（最大值） | 360mW（Ta）,3.125W（Tc） | |
| 工作温度 | -55℃~150℃（TJ） | |
| 基本产品编号 | PMZB350 | |
| 产品应用 | 汽车级 | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值） | 1.9nC@4.5V | |
| HTSUS | 8541.29.0095 | |
| ECCN | EAR99 | |
| REACH状态 | 非REACH产品 | |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 1（无限） | |
| RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
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