商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
品牌 | DIODES(美台) | |
封装 | SOT-26 | |
包装 | 圆盘 | |
FET类型 | 2N-通道(双) | |
漏源电压(Vdss) | 50V | |
25℃时电流-连续漏极(Id) | 305mA | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 2欧姆@50mA,5V | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 1V@250μA | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 50pF@25V | |
FET功能 | 逻辑电平门 | |
工作温度 | -65℃~150℃(TJ) | |
基本产品编号 | DMN5L06 | |
产品应用 | 汽车级 | |
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | |
功率-最大值 | 400mW | |
HTSUS | 8541.21.0095 | |
ECCN | EAR99 | |
REACH状态 | 非REACH产品 | |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) | |
RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装:SOT-23(SOT-23-3)
产品状态:停产
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封装:SOT-363
产品状态:停产
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封装:SOT-323
产品状态:停产
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封装:SOT-26
产品状态:停产
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封装:SOT-563
产品状态:停产
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封装:SOT-363
产品状态:在售
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封装:-
产品状态:在售
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封装:SOT-563
产品状态:停产
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